第电展另一家互联网企业也撑不住成本上涨的压力。

由于材料和多组件器件设计的最新发展，届中越来越多的研究已经能够证明了构建三元逻辑门或甚至更高值逻辑门的可行性。图二、国全代表性等效电路研究（a）STIs的代表性等效电路。

【图文导读】图一、第电展多值逻辑门的基础（a）在ITRS2013，ITRS2015，IRDS2017和IRDS2020中报告了针对高性能逻辑门长度在半导体技术方面的预计进展。迄今为止，届中根据国际半导体技术路线图（ITRS）的预测，届中半导体技术一直在发展，但现在正处于饱和或取得突破的十字路口，以在未来10年中进一步发展。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，国全投稿邮箱[email protected]。

同时对具有代表性的MVL门的通用格式的评估，第电展揭示了组件器件为实现理想的宽范围运行而需要满足的设计标准。（b，届中c）值线图和NDR传递特性。

（d，国全f）二值逆变器和STI在输入电压波动下的时间响应。

第电展（b）电路复杂度的理论估计。文献链接：届中RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials Perspective(AdvancedScience，2021，10.1002/advs.202004216)本文由材料人CYM编译供稿。

国全（b）SOI衬底上QDGFET的器件几何形状。迄今为止，第电展根据国际半导体技术路线图（ITRS）的预测，第电展半导体技术一直在发展，但现在正处于饱和或取得突破的十字路口，以在未来10年中进一步发展。

届中（d）用于极化子限制的基于III-V半导体的纳米腔。图三、国全多值逻辑门的新兴材料研究（a，b）Ge2Sb2Te5纳米线的TEM图像，以及其元素和空间分布。